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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.4
19.7
写入速度,GB/s
11.3
15.6
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
3614
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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