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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
总分
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.4
17.3
写入速度,GB/s
11.3
13.3
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
3259
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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