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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Pontuação geral
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14900
Por volta de 1.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
13.3
Largura de banda de memória, mbps
14900
21300
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2696
3259
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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