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Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
比较
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
总分
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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规格
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
64
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
6.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
48
读取速度,GB/s
6.7
10.4
写入速度,GB/s
5.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1260
1858
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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