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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
比较
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
总分
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
43
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
6.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
42
读取速度,GB/s
10.6
12.1
写入速度,GB/s
6.9
7.6
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1647
1892
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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