RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
43
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
6.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
42
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
6.9
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
1892
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link