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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
58
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
49
读取速度,GB/s
4,025.3
15.8
写入速度,GB/s
2,107.0
11.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2673
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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