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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,025.3
15.7
写入速度,GB/s
2,107.0
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3226
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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