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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
21.4
写入速度,GB/s
2,107.0
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3739
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
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