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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
58
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
20
读取速度,GB/s
4,025.3
18.7
写入速度,GB/s
2,107.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3287
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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