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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
58
左右 -61% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
36
读取速度,GB/s
4,025.3
15.5
写入速度,GB/s
2,107.0
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2970
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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