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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
58
左右 -205% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
19
读取速度,GB/s
4,025.3
20.4
写入速度,GB/s
2,107.0
17.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3855
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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