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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
58
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
32
读取速度,GB/s
4,025.3
16.8
写入速度,GB/s
2,107.0
14.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3625
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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