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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
18.1
写入速度,GB/s
2,107.0
13.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3534
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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