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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,025.3
17.1
写入速度,GB/s
2,107.0
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3292
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
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