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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,025.3
17.8
写入速度,GB/s
2,107.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3386
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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