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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
17.3
写入速度,GB/s
2,107.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3325
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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