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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,025.3
15.4
写入速度,GB/s
2,107.0
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2674
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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