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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,025.3
16.5
写入速度,GB/s
2,107.0
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3199
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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