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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,025.3
19.1
写入速度,GB/s
2,107.0
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3876
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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