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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
58
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
22
读取速度,GB/s
4,025.3
17.2
写入速度,GB/s
2,107.0
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3035
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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