RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
58
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3035
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link