RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2417
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link