RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
36
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2417
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link