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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,025.3
17.4
写入速度,GB/s
2,107.0
11.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2806
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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