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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
74
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.2
2,107.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
74
读取速度,GB/s
4,025.3
14.4
写入速度,GB/s
2,107.0
6.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
1557
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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