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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
15.6
14.4
写入速度,GB/s
11.8
10.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2647
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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