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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
15.6
16.6
写入速度,GB/s
11.8
15.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3629
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
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