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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
14.8
20.5
写入速度,GB/s
8.7
15.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3672
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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