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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,929.1
14.9
写入速度,GB/s
2,978.2
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2613
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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