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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
15.6
14.4
写入速度,GB/s
11.8
11.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2883
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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