RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

总分
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
    左右 1.51% 更高的带宽
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 51
    左右 -82% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.3 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 11.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    15.6 left arrow 18.3
  • 写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2687 left arrow 3247

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
内存RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
内存RAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
内存RAM