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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
15.6
18.6
写入速度,GB/s
11.8
14.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3480
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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