RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3480
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link