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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
15.6
18.5
写入速度,GB/s
11.8
15.6
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3704
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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