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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
87
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
38
读取速度,GB/s
3,155.6
14.5
写入速度,GB/s
870.4
10.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2659
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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