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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
15.6
17.2
写入速度,GB/s
11.8
12.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3035
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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