RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3035
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link