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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
15.6
15.2
写入速度,GB/s
11.8
9.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2724
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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