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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
51
左右 -16% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
44
读取速度,GB/s
15.6
10.5
写入速度,GB/s
11.8
8.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2562
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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