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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9965657-011.A00G 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
15.6
11.6
写入速度,GB/s
11.8
9.2
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2102
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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