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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
54
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
54
读取速度,GB/s
15.6
10.4
写入速度,GB/s
11.8
8.2
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2259
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
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