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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
58
左右 12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
58
读取速度,GB/s
15.6
18.0
写入速度,GB/s
11.8
8.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2025
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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