RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
58
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
58
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2025
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link