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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
AMD R748G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2400U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
15.8
16.4
写入速度,GB/s
11.8
11.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
2686
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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