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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
15.8
14.5
写入速度,GB/s
11.8
10.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
2194
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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