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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
总分
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
10.7
11.3
写入速度,GB/s
7.5
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1335
2395
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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