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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
10.7
15.1
写入速度,GB/s
7.5
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1335
2631
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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