RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2631
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link