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Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.8
16.0
写入速度,GB/s
7.9
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
2714
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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